Si MOSFET (100V) : ルネサス REXFET-1 RBA300N10EANS パッケージ構造解析レポート


ルネサスエレクトロニクス REXFET-1 パッケージ外観

レポート概要

　電気自動車で48Vシステムの採用が進む中、中耐圧MOSFETの需要が拡大しています。ルネサスは2025年1月、新スプリットゲート構造を採用した100V耐圧MOSFET「REXFET-1」を発表しました。本製品は、従来比でオン抵抗を約30％、Qgを10％、Qgdを40％低減し、スイッチング電源やモータ制御、BMSなど大電流アプリケーションの損失低減に大きく貢献します。
　今回、デバイス構造を明らかにするとともに、他社製品との比較を行うレポートを企画しています。

製品特徴

型番：RBA300N10EANS VDS=100V、ID=340A、RDS(ON)max=1.5mΩ　製品リリース日：2025年1月

データシート： https://www.renesas.com/ja/document/dst/rba300n10eans-3ua02-datasheet?r=25568075
アプリケーション：小型トラクションモータ、48V システム、オンボード充電ステーション

解析内容＆レポート価格

① パッケージ構造解析レポート：予定価格￥250,000（税別)　　納期：企画成立後 1.5ヶ月

パッケージ観察、パッケージ断面解析、材料EDX分析

② MOSFET構造解析レポート：　予定価格￥650,000（税別)　　納期：企画成立後 1.5ヶ月　　

チップ観察
平面解析：配線接続、レイアウト確認
断面解析：セル部、外周部(SEM)
下記との比較
　スーパージャンクション構造　RBA250N10CHPF
　150V耐圧 REXFET-1 RBA200N15YAPF
　他社製品との比較 (UMOS IX-H、 Optimos6、 STripFET F8)

レポートパンフレット

(25L-0643-1,2)Si MOSFET (100V) ルネサス REXFET-1 RBA300N10EANS パッケージ構造解析レポート

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