SiCパワーモジュール (1200V): StarPower MD22HFS120N6HY モジュール構造、SiC MOSFET概要、構造解析レポートを企画中！

引用：https://www.power-and-beyond.com/sic-mosfets-for-compact-high-voltage-drives-in-electric-vehicles-a-c0c8fb19d8291bcd3e05d0ebfa974c37/

レポート概要

　 2024年6月、中国StarPower Semiconductorは、800V EV駆動用SiCパワーモジュール を発表しました。
　本モジュールは、1200V SiC MOSFETを使用した非常に低いオン抵抗が特徴で、800 Vオンボード電源環境でも使用することが可能。モールド封止された片面冷却構造となっておりPINFIN構造を備えたソリッド銅ベースプレート、AMB(Si3N4)基板が採用などから、同社の現行のトレンド追随、信頼性への考慮がうかがえる製品となっています。
　今回、同モジュール単体で購入してのモジュール構造解析、搭載SiC MOSFETの概要、構造解析レポートを企画しています。

製品特徴

データシート：https://www.powersemi.com/Upload/Products/202407//pdf/MD22HFS120N6HY.pdf

• ハーフブリッジモジュール 2 in 1-package
• 1200V SiC MOSFET搭載
• アプリケーション：ハイブリッド車および電気自動車、モータ駆動用インバータ

レポート内容＆価格

1. モジュール構造解析レポート： 予定価格￥650,000（税別) 　　納期： 企画成立後 2.5ヶ月
   • モジュール観察、搭載チップ観察
   • モジュール断面解析/材料分析

2. 搭載SiC MOSFET概要解析レポート： 予定価格￥400,000（税別) 　納期： 企画成立後 2.5ヶ月
   • パッケージ観察、チップ観察
   • SiC MOSFET断面解析： セル部、チップ終端部 (SEM)

3. 搭載SiC MOSFET構造解析レポート： 予定価格￥750,000（税別) 　納期： 企画成立後 2.5ヶ月
   • ②概要解析レポートの内容を含む
   • SiC MOSFET断面解析： セル部(TEM)
   • 他社製品との比較

レポートパンフレット

(25R-0386-1~3)SiCパワーモジュール (1200V) StarPower MD22HFS120N6HY モジュール構造、SiC MOSFET概要、構造解析レポート

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