SiC MOSFET(3300V) ：Microchip Technology MSC080SMA330B4N 概要、構造、電気特性評価レポート(企画)

レポート概要

Microchip Technology が展開する 3300V耐圧 SiC MOSFET「mSiC™」は、高耐圧・高信頼性が求められる鉄道、送配電、産業用インバータ、再生可能エネルギー分野向けデバイスとして注目されています。エルテックでも、各社の3300Vや2300Vの高耐圧SiC MOSFETに注目して解析を行っており、今回は、同社の3300V SiC MOSFETの概要、構造解析を行い、その特徴を明らかにするとともに、中国AST TechnologyやNoMIS Powerのディスクリート製品との比較も行うレポートを企画しています。

製品特徴

• 製品情報： MSC080SMA330B4N
  • 同社の、「mSiC™」ブランド
  • アプリケーション： 太陽光発電インバータ、産業用モータ駆動、EV充電、スマートグリッド

解析内容＆レポート価格

• ① 概要解析レポート： 予定価格￥330,000 (税別)　　納期： 企画成立後 2ヶ月
  • パッケージ観察、チップ観察
  • SiC MOSFET断面解析： セル部、チップ終端部 (SEM)

• ②構造解析レポート： 　予定価格￥750,000 (税別)　　納期： 企画成立後 2ヶ月
  • ①概要解析レポートの内容を含む
  • パッケージ断面解析
  • 平面解析： 配線接続、レイアウト確認
  • 他社製品との比較

• ③電気特性評価レポート： 　予定価格￥250,000 (税別)　　納期： 企画成立後 2ヶ月
  • I-V特性（オン特性、BVdss測定、静電容量 (最大3000V)）

レポートパンフレット

(26L-0040-1,2,3)SiC MOSFET(3300V) ：Microchip Technology MSC080SMA330B4N 概要、構造、電気特性評価レポート(企画)

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