GaN FET (650V)：STMicroelectronics MASTERGAN6 パッケージ、構造解析レポート

https://www.st.com/en/power-management/mastergan6.html

レポート概要

　これまでGaNパワーデバイス市場は、民生用GaN充電器、スマートフォンなど100W以下の急速充電用途が市場拡大を牽引してきましたが、高性能ノートPCの普及や最大240W給電に対応するUSB PD 3.1規格の登場により、140～240W級を中心とする高出力領域へ用途が拡大しています。　
　高出力クラスの電源を従来のディスクリート（個別部品）構成で設計する場合、高出力化に　伴う発熱、スイッチングノイズ、寄生インダクタンスへの対応に加え、ゲートドライバや周辺　部品を含めた実装面積の増大が課題となります。
　2026年2月、STMicroelectronicsは、次世代製品となる第2世代「MASTERGAN6」を発表。　本製品最大の特徴は、140mΩという極めて低いオン抵抗により最大10Aの大電流に対応した点、およびゲート駆動用のLDOをパッケージ内に完全統合し、外付け部品のさらなる削減、基板面積の縮小、そしてトータルコストの低減を同時に実現可能としました。
　今回、同製品の内蔵GaN FETおよび制御ICの構造解析により、その特徴を明らかにするレポートを企画しました。

製品特徴

型番： MASTERGAN6 VDS= 650V 、Ids(max)=10A、 RDS (on)=140mΩ 製品リリース日：2026年2月

データシート：https://www.st.com/resource/en/datasheet/mastergan6.pdf

解析内容＆レポート価格

① パッケージ構造解析レポート：　予定価格￥250,000（税別)　納期：企画成立後 2ヶ月
- パッケージ観察、パッケージ断面解析+材料EDX分析

② GaN FET構造解析レポート：予定価格￥950,000（税別)　　納期：企画成立後 2ヶ月
- チップ観察 (GaN FET、制御IC)
- GaN平面解析：セルピッチの確認
- GaN断面解析(SEM)：セル部、チップ終端部 (SEM)
- GaN断面観察(TEM)：エピ層、EDX分析
- 制御IC平面解析：Gate層レイアウト確認
- 制御IC断面解析：プロセス確認
- 第1世代MASTERGANや競合品Navitas NV6247Cとのチップ比較