2026.11.04
SiCパワーモジュール(750V):Basic Semiconductor Pcore6 HPD MiniBMS630R08HMLWA3 モジュール、解析レポート
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| https://www.basicsemi.com/jp/h-pd-133.html |
レポート概要
近年、自動車産業におけるEVは、「インバータの小型・高効率化」が最重要課題となっています。特に市場のボリュームゾーンである400Vシステム車において、Si IGBTから750V耐圧SiCパワーモジュールへの置き換え需要が世界中で加速していますが、市場のスタンダードである「HybridPACK™ Drive」の大きなパッケージのままでは、インバータケースの縮小やモーターとの一体化の足かせになってしまい、モジュールの限界的なダウンサイジングが必須です。 こうした自動車メーカーからの小型化要求に対し、パワー半導体業界では、「HybridPACK™ Drive」の基本設計を踏襲しつつ、占有面積を約20%削減した高密度コンパクト仕様のパッケージ「HPD Mini」が市場に投入されています。
2026年1月、Boschからの出資でも注目を集めるBASiC Semiconductor(深圳基本半導体)は、最新の車載用SiCパワーモジュールPcore™6 HPD Mini 「BMS630R08HMLWA3_A01」を市場に投入しました。
最大の特徴は、従来比で占有面積が約20%削減され、寸法制限の厳しいコンパクトなパッケージでありながら、内部で6個のSiC MOSFETチップを並列接続し、標準HPDに匹敵する「750V / 630A」の大電流・高出力を両立している点にあります。
今回、本製品のモジュール、搭載SiC MOSFETの詳細を解析するレポートを企画しました。
製品特徴
| 型番: BMS630R08HMLWA3_A01 、Vdss=750V、Ids=630A、 RDS (on)=1.6mΩ 製品リリース日:2026年1月 |
- Basic semiconductor 第3世代車載グレードのSiC MOSFETチップ搭載
- 銀焼結接合、銅ボンディングワイヤー採用
- Si3N4 AMBセラミック基板と直接水冷式PinFin構造
解析内容&レポート価格
- ① モジュール構造解析レポート: 予定価格¥600,000(税別) 納期: 企画成立後 2.5ヶ月
- モジュール観察、搭載チップ観察、モジュール断面解析/材料分析
- Infineon HybridPACK™ Driveとの比較
- ② 搭載SiC MOSFET概要解析レポート: 予定価格¥300,000(税別) 納期: 企画成立後 2.5ヶ月
- パッケージ観察、チップ観察、断面解析: セル部 (SEM)
- ③ 搭載SiC MOSFET構造解析レポート: 予定価格¥500,000(税別) 納期: 企画成立後 2.5ヶ月
- ②概要解析レポート+平面解析: 配線接続、レイアウト確認、断面解析: 外周部 (SEM)
- ④ 電気特性評価レポート: 予定価格¥400,000(税別) 納期: 企画成立後 2.5ヶ月
- IV特性(ON)、リーク電流(OFF)、BVdss、容量

レポートパンフレット
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(26R-0441-1,2,3,4)SiCパワーモジュール(750V):Basic Semiconductor Pcore6 HPD Mini BMS630R08HMLWA3 解析レポート
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