半導体

Si IGBT(1200V)：ローム Gen4 RGA80TRX2EHRC15 構造解析レポート


パッケージ外観/内部レイアウト		Si IGBTチップ外観	Si FWDチップ外観

レポート概要

　2024年11月、ロームは車載向けの1200V 第4世代IGBT （車載認定AEC-Q101）をリリースしました。この第4世代1200V IGBTは、外周構造も含めたデバイス構造を見直したとされ、1200Vの高耐圧と業界トップクラスの短絡耐量10µsec.（Tj＝25℃時）、低スイッチング損失かつ低導通損失が特徴のIGBTになります。今回、この新しいIGBTと搭載FWDに関する構造解析レポートをリリースしました。

製品特徴

型番： RGA80TRX2EHRC15 　 VCES=1200V、IC=69A　製品リリース日：2024年11月

https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/igbt/rga80trx2ehrc15-e.pdf

TO-247-4Lパッケージ
車載用 Field Stop Trench IGBT
アプリケーション：　車載向けの電動コンプレッサ、HVヒーター、産業機器向けインバータ

解析結果 (解析内容の詳細はP.2, 4を参照)

① Si IGBT構造解析レポート：　価格￥800,000 （税別)　　発注後1weekで納品

チップ外周部の耐圧構造としてJTEとGuard Ringが形成されている。
前世代品やInfineon製品(IGBT7)との比較の結果、
　本製品のIGBTの電流密度は4.1A/mm2 (コレクタ電流/トランジスタ面積より算出)であり、
　これは特にInfineonのIGBT7より約17%大きい。
　本製品のIGBTは、InfineonのIGBT7のマイクロパターントレンチ技術とほぼ同程度の高密度な
　トレンチ技術が使用されている。

➁ Si FWD構造解析レポート：　価格￥500,000 （税別)　　発注後1weekで納品