半導体

SiC MOSFET (1200V) INFINEON 第2世代CoolSiC IMZC120R078M2H 短絡耐量評価・解析レポート


チップ写真

レポート概要

　INFINEONは2024年3月にCoolSiC 1200V第2世代MOSFETを発表しました[1]。
これは高評価を受けており、xEVモーターインバータモジュールに採用されています[2]。
　第 1 世代CoolSiCと比較すると、トランジスタのサイズ (セルピッチ) が縮小されているため、短絡耐性を慎重に評価する必要があります。　
　本レポートは、最新のCoolSiC技術の代表として、「IMZC120R078M2H」製品の短絡試験と短絡耐量（SCWT）および臨界エネルギー（Esc）の測定、解析結果を示します。

[1] https://www.infineon.com/press-release/2024/infgip202403-073
[2] https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/10/49/infineon-fs03mr12a7ma2b-datasheet-en.pdf

製品特徴

型番：IMZC120R078M2H Vdss=1200V, Id=28A, RON=78.1mΩ 製品リリース日：2025年2月 (データシート)

パッケージ: 4-pin TO-247
データシート：https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/60/49/infineon-imzc120r078m2h-datasheet-en.pdf

解析結果概要

短絡耐量評価・解析レポート　価格：¥600,000 (税別) 　発注後1weekで納品

短絡耐量（SCWT）試験の結果。
第2世代CoolSiCのトランジスタ短絡耐性を決定する制限要因に関する考察。　
SCイベント中のゲート酸化膜の強度。
製品データシートの仕様では tsc < 2us (@ Vgs=15V) と記載されており、トランジスタの SCWT と RON のトレードオフが明確になっている。
INFINEON CoolSiCと主要SiCメーカーのSCWT対オン抵抗の比較。