半導体

SiC MOSFET (1200V)：NAVITAS-GeneSiC G3F75MT12K 短絡耐量評価・解析レポート


チップ写真

レポート概要

　2024年6月、NAVITAS-GeneSiCは前世代G3Rプロセスおよびデバイス技術の改良版として、G3F(Fast)技術を発表しました[1]。G3Fは、(i)スイッチング速度の高速化、(ii)RonAAの低減、(iii)短絡耐量（SCWT）の30%向上を実現すると謳われています[1]。
　前世代の G3R と比較すると、G3F トランジスタでは動作ゲート電圧が 18V に上昇しているため、短絡耐性を慎重に評価する必要があります。
　本レポートでは、最新G3F技術の代表として、「G3F75MT12K」製品の短絡試験と短絡耐量（SCWT）、臨界エネルギー（Esc）の測定結果および解析結果を示します。
[1] https://navitassemi.com/navitas-gen-3-fast-sic-mosfets-accelerate-next-gen-ai-growth-ev-charging/

製品特徴

型番：G3F75MT12K Vdss=1200V, Id=30A, RON=75mΩ, 製品リリース日：2024年8月 (データシート)

[2] https://navitassemi.com/wp-content/plugins/gb-navitas-stock-checker/product_files/G3F75MT12K.pdf
パッケージ: TO-247-4
応用：モータードライブ、EV/HEV充電、HV DC-DCコンバータ、スイッチング電源

解析結果概要・レポート価格

短絡耐量評価・解析レポート　価格 ¥600,000 (税別) 　発注後1weekで納品
・短絡耐量（SCWT）試験におけるVgsとVdsの依存性の結果。
・GeneSiC G3Fのトランジスタ短絡耐性を決定する制限要因に関する考察。　
　 SCイベント中のゲート酸化膜の強度。
・データシートにはSCWTは明記されていないが、トランジスタのSCWTとRONのトレードオフを評価している。
・G3R、G3Fと主要SiCメーカーのSCWTの比較を行う。