iToFセンサー：onsemi AF0130 構造、レイアウト解析レポート

AF0130チップ写真

レポート概要

　iToF（indirect Time-of-Flight）センサーは、高精度な距離画像を低消費電力で取得できることから、スマートフォンの3Dセンシングや産業用ロボティクス、車載用途に至るまで応用が急速に拡大しています。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　onsemi AF0130 は、2025年3月発表の同社初の産業アプリケーション向けiToFセンサー。高感度受光画素と効率的な電荷変調構造を組み合わせることで、高速な位相検出と優れた距離分解能を実現しています。
　本レポートは、AF0130 の画素アレイ、フォトダイオード領域の構造、制御ASIC(ISP)のレイアウト、積層構造の解析により、本製品の特徴を明らかにしたレポートになります。

製品特徴

https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/af0130-pd-d.pdf

• onsemi独自のグローバルシャッターピクセル
• 3.5μm裏面照射（BSI）、深度処理制御ASICを積層

解析内容＆レポート価格

構造、レイアウト解析レポート： 価格￥950,000（税別)　　発注後1weekで納品

• グローバルシャッター機能として、4画素ユニットセル内に20個のMIM容量素子が配置されています。※実質、MIM容量素子は1画素内に５個構成相当。
• 画素部、制御ASIC(ISP)のウェハ接合は、Cu-Cuハイブリッドボンディング採用。
• 画素部は断面SEM、各層平面SEM像、制御ASIC(ISP)は、Gate層でのレイアウトを確認しています。
• 平面、断面解析により、本製品のファウンダリ、プロセス情報を記載しています。

※STMicroelectronics 裏面照射型 iToFセンサー VD55H1のレポートおよびAF0130とVD55H1との比較レポートも企画しています。
　詳しくはエルテックまでお問合せください。

レポートパンフレット

25r-0245-1 br-l2 itofセンサー：onsemi af0130 構造、レイアウト解析レポート (release)

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