SiC MOSFET(1200V)：SemiQ Gen3 GP3T040A120H 概要,構造解析レポート

パッケージ	SiC MOSFETチップ

レポート概要

　SemiQから最新の第3世代SiC MOSFETが発表されました。この第3世代の製品は、第2世代と比較してチップサイズの縮小に加えて、 RonxAAなどの性能向上がなされており、EV充電ステーション、太陽光発電インバータ、産業用電源など、幅広い市場をターゲットとしています。
　今回、この第3世代の概要解析、構造解析レポートをリリースしました。概要解析では同社製第2世代品（2022年）と、構造解析ではそれに加え、他社製品との構造的な比較を行っています。

　※ 第2世代 SiC MOSFET GP2T040A120Hの解析レポート(22G-0047-1)は販売中です。
　　エルテックまでお問い合わせください。

製品特徴

データシート: ： https://semiq.com/wp-content/uploads/2025/02/GP3T040A120H.pdf

第2世代からの変更点

• 第3世代SiC MOSFETはセルレイアウトの変更。チップサイズが27%縮小化。
• 高密度MOSFETチャネルと単位面積あたりのオン抵抗指標 (RonxAA) の低減。

解析内容＆レポート価格

① 概要解析レポート　価格 ¥300,000(税別)　　発注後1weekで納品

• 第3世代品は第2世代品と比べて、チップサイズが27%縮小化していますが、Ronは同程度。
  特徴的な平面レイアウトに変更することによってRonAAを低減しています。

➁ 構造解析レポート　価格 ¥600,000(税別)　　発注後1weekで納品

• トランジスタの平面セルレイアウトは、同社や他メーカーには見られないような形状となっています。そのため、複数方向から断面を観察してGate形状、注入構造を観察しています。
• チップ外周部領域 の耐圧構造についても平面、断面から特徴を確認しています。

レポートパンフレット

25r-0183-1,2 br-l2 sic mosfet(1200v)：semiq gen3 gp3t040a120h 概要,構造解析レポート (release)

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