販売レポート

半導体

Si IGBT(1600V):STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 概要解析レポート

パッケージ 内部レイアウト

レポート概要

 IGBTは、高効率でスイッチング動作を行えるため、IH(電磁調理器)、電子レンジや炊飯器といった生活家電製品のインバータ回路のスイッチング素子としても使用されています。
 STMicroelectronicsでは、 IH調理器向けIGBT「STPOWER IH2」シリーズとして、2023年に1350V耐圧のIGBTをリリースしましたが、大きな電圧サージや電圧スパイクにも対応できる耐性を持たせるため、2025年7月、新たに1600V耐圧のIGBTを発表しました。
STPOWER IH2シリーズは、低飽和電圧(VCE(sat))、ターンオン時の損失を低減することが特徴で、電力変換効率の向上に貢献するとされています。
 今回、 この1600V耐圧IGBTのセル部やチップ外周部の断面観察を行った概要解析レポートをリリースしました。

製品特徴

型番:STGWA30IH160DF2 VCES=1600V、Ic=30A(VCE(sat) = 1.77 V (typ.) 製品リリース日:2025年7月

https://www.st.com/ja/power-transistors/stgwa30ih160df2.html

  • TO-247ロングリードパッケージ
  • トレンチ・ゲート・フィールドストップIGBT 技術適用、FWD搭載
  • 最大接合部温度Tj=175℃

解析内容&レポート価格

概要解析レポート価格¥300,000(税別) 発注後1weekで納品

  • トレンチゲート構造に特徴あり。
  • 外周部の耐圧構造にはJTEとGuard ringsが使用されています。
    (JTE : Junction Termination Extension)

本製品の詳細な構造解析レポート(同シリーズの1350V耐圧品STGWA35IH135DF2との比較を含む)
にご興味がございましたら、エルテックまでお問合せ下さい。

レポートパンフレット


Si IGBT(1600V):STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 概要解析レポート(Release)


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