GaN FET(650V) : ルネサス TP65H030G4PRS パッケージ、GaN FET構造解析レポート

パッケージ外観	GaN FET + Si MOSFET チップ全体像

レポート概要

　ルネサスエレクトロニクスは、高耐圧650Vの窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発売し、量産を開始しました。新製品は新たなプロセス「第4世代プラス（Gen Ⅳ Plus）」を採用し、従来の第4世代（Gen Ⅳ）と比較して、ダイサイズを14％低減、オン抵抗を30mΩまで低減したことにより、電力効率の向上を図っています。また、本製品は2024年6月に買収されたTransphorm社の実績のあるSuperGaN技術※が採用されていることも特徴です。本製品はAIサーバ、EV充電システム、UPS（無停電電源）装置、太陽光発電インバータなどの1kW~10kWクラスの電源システムに適しています。
　今回、本製品のパッケージ構造解析および搭載されているGaN FETのチップ構造解析レポートをリリースしました。

製品特徴

TP65H030G4PRS製品情報

• 大電流GaN (55A)
• Cascode配置　⇒SiC JFETよりスイッチングが早い
• FOM ： Qgd・Ron= 198 nC・mΩ (Si SuperJunctionでは　740～868　nC・mΩ)

解析内容＆レポート価格

① パッケージ構造解析レポート：　価格￥250,000（税別)　　発注後1weekで納品

•  ボンディングワイヤ、ダイアタッチなどの材質の分析、各層の膜厚の測長を実施しています。また、本製品ではSi MOSFETがGaN FETチップに縦積みされており、Si MOSFETチップとGaN　FETチップ間の接続材料についても観察、分析を行っています。

② GaN FET構造解析レポート：　価格￥800,000（税別)　 　発注後1weekで納品

• GaN FETチップについて各層の配線レイアウト、各メタル層やGaN epi層の層厚、材料分析を行っています。特に今回の解析により、データシートの等価回路に記載がない受動素子がGaN FETチップ上に形成されていることが判明しました。

レポートパンフレット

25G-0274-1,2 Br-L2 GaN FET(650V) ：ルネサスエレクトロニクス TP65H030G4PRS パッケージ、GaN FET構造解析レポート (Release)

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