SiC MOSFET(1200V)：Nomis Power N3T080MP120D 解析レポート

パッケージ外観	チップ外観

レポート概要

　Nomis Power社は、アメリカにあるアルバニー大学のスピンアウトとして2020年に設立され、024年に同社初の1200V SiC MOSFET製品群がリリースされました。
　N3T080MP120Dはその製品群の一つであり、本解析レポートでは、 Nomis Power製品の技術的な特徴を明らかにするためN3T080MP120Dのチップ観察やトランジスタセル断面についての簡易的な解析と、他社製品との比較を行っています。
　また、 Nomis Powerは本製品の特長としてゲート酸化膜の高信頼性を謳っており、(1)ゲート酸化膜の厚さ、および(2)ゲート酸化膜の強度（Igss-Vds-T特性）について、構造解析レポートの中で評価する予定です。

製品特徴

データシート： https://nomispower.com/wp-content/uploads/2024/08/NoMIS-Power-N3T080MP120D.pdf

• アプリケーション：EV車載充電器、EV急速充電ステーション、モータードライブ、太陽光発電インバーター、エネルギー貯蔵システム、ソリッドステートパワーコントローラーなど

解析内容＆レポート価格

概要解析レポート　価格￥300,000（税別)　 発注後1weekで納品

• 本製品の固有抵抗RonxAA（アクティブエリア）=321mΩ/mm2、
  エルテックのデータベースによると、第3世代技術に相当する。
• 六角形状のプレーナー型ゲート構造を採用。
• 外周部の耐圧構造として２種類のGuard ringとJTEが使用されており、外周部の幅は
  同耐圧製品と比較して２倍以上となっている (JTE : Junction Termination Extension)。

レポートパンフレット

25R-0453-1 Br-L2 SiC MOSFET(1200V) ：Nomis Power N3T080MP120D 概要解析レポート (Release)

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