半導体

SiC MOSFET (1200V) : Silan Microelectronics SCDP120R013N2P4B概要、構造解析、電気特性解析レポート


パッケージ	SiC MOSFETチップ

レポート概要

　 Silan Microelectronicsは、中国・杭州に本社を置く半導体メーカーです。
特にパワー半導体分野での技術革新と生産能力の拡大に注力しており、同社のSiC生産能力は、6インチSiCウェハの月産能力が9,000枚、量産体制を確立し、8インチSiC生産ラインも2025年に稼働開始予定と報じられています。同社はSiC MOSFETの開発と製造においても重要な進展を遂げており、中国の主要なメーカーの一つとして捉えています。
　本レポートでは、平面、断面構造解析と合わせて、主要メーカ、中国メーカーとの性能比較も行っており、中国TOPメーカーの現時点での実力を把握できます。

製品特徴

型番： SCDP120R013N2P4B VDS=1200V、ID=138A、RDS(ON)=13.5mΩ　製品リリース日：2025年(データシート更新)

データシート：https://www.fet.discoveree.io/datasheet.php?view=pdf&file=silan/scdp120r013n2p4b.pdf

★事前評価では、RonAAはInventchipの第3世代やWolfspeedの第4世代(いずれも現最新世代)
とほぼ同等であり、SilanはRonAAの低減に積極的に取り組んでいるメーカーであることがわかります。本レポートではレイアウトやセルピッチ、電気特性を確認し、RonAAを低減している要因を解析することを予定しています。