SiC MOSFET (1400V)： Infineon IMZC140R038M2H 概要解析レポート

パッケージ	SiC MOSFETチップ

レポート背景と概要

　Infineonは、2025年6月に新型1400V SiC MOSFETの生産を開始し、第2世代1200V CoolSiCテクノロジーの適用範囲を拡大します。これはxEV充電、バッテリーエネルギー貯蔵システム、商用車、建設機械、農業機械（CAV）向けのニーズに対応することを目的としています。
　(i) 本トランジスタ構造は市場で初めて、そして唯一の商用利用可能な1400V SiC MOSFETであり、(ii) 新しい高電圧構造を採用し、(iii) 1200V MOSFETよりも広いマージンを提供します。これにより、(iv) ゲート抵抗Rg(ext)とスイッチング損失の間の最適なバランスを実現できます。
今回の解析では、RONxAA (FOM) が最先端の第 4 世代 1200V SiC MOSFET よりも低いことが示されています。また、既存の1200Vデバイスと比較して、その斬新な特徴を明らかにしています。

製品特徴

データシート： IMZC140R038M2H

解析内容＆レポート価格

1. SiC MOSFET概要解析レポート　価格 ¥300,000 (税別) 発注後1weekで納品
   • チップ写真、サイズ、セル基本構造の確認と既存の1200V品との簡易構造比較やデータシートの電気特性評価比較を実施しています。

2. SiC MOSFET構造解析レポート　予定価格 ¥750,000 (税別)
   → 1400Vで何が変わったのか？ （エピ層、JTE、Pwellなど）

3. 電気特性解析レポート　予定価格 ¥350,000 (税別)
   （Rgi, BVdss, C-Vds, Idss-Vds-T, Igss-Vgs）
   • 電気特性と構造の相関関係
   • 従来の1200V G2プロセスとの具体的な変更点の特定

4. SCM 解析レポート　予定価格 ¥550,000 (税別)

※②～④の解析レポートは企画中です。
　ご興味がございましたら、エルテックまでお問合せ下さい。

レポートパンフレット

(25R-0584-1)SiC MOSFET (1400V)： Infineon IMZC140R038M2H 概要解析レポート

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