半導体
GaN IC (100V): EPC EPC23102 ePowerTMStage IC解析レポート
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| パッケージ写真（表、裏） | 搭載GaN IC 写真 |
レポート背景と概要
ロボティクスは産業界において重要な分野であり、成長を続けています。産業用アーム、医療、物流、パーソナルアシスタンスなど、さまざまな分野における高度なロボット工学・パワーエレクトロニクスは、高効率で小型のコンバータとモータードライバー（三相インバータ）を必要とするヒューマノイドロボットの関節に不可欠です。BLDCモーターには通常100V定格のトランジスタが使用されますが、GaNは高周波領域でも高い効率を提供し、小型化と軽量化を実現します。
GaN パワートランジスタのパイオニアであるEPC社は、 EPC23102 ePower Stage GaN ICを搭載したBLDCモーター駆動用インバータ基板のリリースも発表しています。
今回、このEPC23102について、パッケージ、GaN ICの詳細構造解析、機能ブロック特定、部分回路解析レポートのリリースを予定しています。
製品特徴
| 型番：EPC23102 Vin= 100V(Max), 80V(operating), ILoad=35A, 製品リリース日：2025年7月 |
データシート：https://epcco.com/epc/Portals/0/epc/documents/datasheets/epc23102_datasheet.pdf
https://epc-co.com/epc/markets/robotics
- GaN monolithic half-bridge IC
- アプリケーション：
降圧、昇圧コンバーター、モーター駆動インバーター、クラス D オーディオ アンプ
解析内容＆レポート価格
- パッケージ解析 価格 ¥350,000 (税別) 3/13リリース予定
- 内部チップ構成、チップサイズ
- パッケージ、実装関連
- 放熱、熱抵抗概要解析
- GaN IC構造解析 価格 ¥660,000 (税別) 3/13リリース予定
- 平面および断面解析（SEM)
- 集積デバイスコンポーネント（GaN FET、抵抗(R)、容量（C）の特定と構造解析
- 他社と比較（Navitasなど）
- GaN ICエピ層構造解析 価格 ¥250,000 (税別) 3/13リリース予定
- エピ層断面観察、EDX分析（TEM)
- GaN IC回路 概要解析 価格 ¥350,000 (税別) 3/13リリース予定
- 下層(Dif層)サンプル作成、下層チップ観察
- 機能ブロック特定 (Level shift, Gate driver, Power control etc)
- GaN IC 部分回路解析 価格 ¥1,290,000 (税別) 3/13リリース予定
- 各層チップ撮影
- 回路解析 (High-side Level shift, High-side Gate driver)
→追加の回路解析についてはLTECにお問い合わせください
レポートパンフレット
(25R-0686-1~5) GaN IC (100V)：EPC EPC23102 ePowerTMStage IC解析レポート
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