GaN FET (650V) : Infineon CoolGaN Bidirectional IGLT65R055B2 構造解析レポート

パッケージ写真（表）	GaN FET 写真

レポート概要

　GaNデバイスは、EV市場における電力効率の飛躍的向上、小型化、高電力密度化を実現するキーテクノロジーとして注目を集めています。中でも650V耐圧GaNは、中電圧パワーエレクトロニクスの中核を担うデバイスとして、今後さらなる需要拡大が見込まれており、次世代電源アーキテクチャの要素技術として注目されているのが双方向GaNデバイスです。
　2025年にはNavitasが世界初となる650V双方向GaNの量産化、続いてInfineonも参入、同社の双方向GaNは、「世界初のモノシリック構造による双方向スイッチ」として、4つのディスクリートMOSFETを必要としていた双方向の電圧・電流制御を、単一デバイスで実現することで、回路構成の大幅な簡素化、小型化、さらにはコスト削減を可能にします。
　本レポートでは、このInfineon製双方向GaNデバイスの構造、搭載回路について解析しています。

製品特徴

• データシート： CoolGaN BDS 650V G5 IGLT65R055B2
  • 850Vサージ耐性を備えた650V CoolGaN™テクノロジー
  • 同社のゲート注入トランジスタ（GIT）技術を採用
  • 基板端子を持ち、絶縁された独立制御が可能な2つの分離ゲート構造
  • アプリケーション：太陽光発電用マイクロインバータ(Enphase社の製品に採用) 、
    　　　　　　　　　車載充電器（OBC）、トラクションインバーター、AIサーバー

解析内容＆レポート価格

1. GaN FET構造解析レポート：　価格￥900,000（税別）　 2/27リリース予定
   • GaN 平面観察：チップ観察、各層配線レイアウト
   • GaN 断面観察(SEM)：セル部、チップ端部

2. パッケージ構造解析レポート　：　予定価格￥250,000（税別）

3. GaN エピ層構造解析(TEM, EDX)：　予定価格￥250,000（税別）

※ ②、③のレポートは企画中です。
　 ご興味がございましたら、エルテックまでお問い合わせください。

レポートパンフレット

(25R-0803-1)GaN FET (650V) Infineon CoolGaN Bidirectional switch G5 IGLT65R055B2 GaNFET構造解析レポート

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