半導体

SiC MOSFET (1400V): Infineon IMZC140R038M2H 概要、構造、電気特性、SCM解析レポート


TO-247-4　IMZC140R038M2H	チップ写真

レポート背景と概要

　Infineonにて、1400V SiC MOSFETの生産が2025年6月から開始されました。
　本製品は、第2世代1200V CoolSiC™テクノロジーをベースに開発されており、初めて商用化された1400VクラスのSiC MOSFETとなります。新採用の高耐圧構造により、従来の1200V製品と比較して十分な電圧マージンを確保しています。この特性により、ゲート抵抗（Rg）とスイッチング損失の最適なバランス設計が可能となり、システム全体の効率向上および設計自由度の拡大に寄与しています。対象アプリケーションとしては、商用車、建設機械、xEV向け充電インフラ、バッテリーエネルギー貯蔵システム（BESS）など、高電圧・高信頼性が求められる幅広い用途への適用を目的としています。
　今回の解析では、RONxAA (FOM) が最先端の第 4 世代 1200V SiC MOSFET よりも低いことが示されています。また、既存の1200Vデバイスと比較してその斬新な特徴を明らかにしています。

製品特徴

型番： IMZC140R038M2H Vdss=1400V, RON=38mΩ, Id=37A (100℃) 製品リリース日：2025年6月(データシート)

データシート： IMZC140R038M2H

解析内容＆レポート価格

SiCチップ概要解析レポート　　価格 ¥300,000 (税別) 　発注後1weekで納品
- チップ写真、サイズ、セル基本構造の確認と既存の1200V品との簡易構造比較
  データシートの電気特性評価比較を実施しています。

SiCチップ構造解析レポート　　価格 ¥750,000 (税別) 　　発注後1weekで納品
- 1400V化に伴う断面構造上の変更点を明らかにしています。
  （エピ層、JTE、Pwellなど）
- 本1400V品のRON・AA指数は、主力の第4世代に比べて約10％低くなっている。

基本的な電気特性解析レポート　価格 ¥350,000 (税別) 　発注後1weekで納品
- 電気特性評価（RG,int※, BVdss, C-Vds, Idss-Vds-T, Igss-Vgs)
- 特性と構造の相関関係についての考察
- 従来の1200V G2プロセスとの具体的な変更点の特定
- ※トランジスタの内部抵抗（RG,int）の評価とモデリングは、トレンチゲートポリシリコンの抵抗率などの情報を抽出するために使用されます。