半導体

SiC MOSFET(3300V)：NoMIS Power N3T080MP330K 構造解析レポート


パッケージ外観	SiC MOSFET Die

レポート概要

　Nomis Power社は、米国アルバニー大学発のスタートアップとして2020年に設立され、高耐圧SiCデバイスの開発を推進しています。
　同社初となる3300V、SiC MOSFET(N3PT080MP330)は、鉄道や電力インフラ、再生可能エネルギーといった高電圧・大電力市場向けデバイスとして注目を集めています。
　エルテックでは、高電圧SiCデバイス市場の拡大を見据え、3300V、2300Vクラスの解析レポートを順次展開しています。
　本レポートは、3300V SiC MOSFETの断面構造、セル構造、プロセス技術を詳細に解析するとともに、同社1200V品との比較を通じて、高耐圧化を実現するための設計技術を把握するためのベンチマーク資料としてご活用いただけます。
https://www.powerelectronicsnews.com/nomis-power-launches-first-3-3-kv-sic-mosfet-setting-new-standards-in-medium-voltage-power-conversion/?utm_source=copilot.com

製品特徴

型番：N3PT080MP330 　 VDS=3300V　ID=20A RDS(on) =79 mΩ　製品リリース日：2025年

データシート：https://nomispower.com/wp-content/uploads/2025/09/NoMIS-Power-N3T080MP330.pdf

解析内容&レポート価格

SiC MOSFET構造解析レポート　：価格￥950,000（税別)　発注後1weekで納品
- 六角形状のプレーナゲート構造を採用。
- 外周部の耐圧構造にはJTEとGuard Ringsが使用されています。
- セル端部からチップ端部までの幅は、N3T080MP120D(Vds=1200V)※よりも約20%狭くなっています。
- 電気特性評価では、Id-Vds測定、デバイス構造と電気特性解析 (オン抵抗)、ブレークダウン電圧（BVdss）測定を行っています。