GaN FET(650V)：Innoscience INN650TA030AH 解析レポート

パッケージ	GaNチップ

レポート背景と概要

　電源の高効率化・小型化を背景に、GaN（窒化ガリウム）パワーデバイス市場は急速に拡大しています。その中で中国メーカーの存在感も高まっており、Innoscienceはその代表的な企業の一つです。
　同社は2017年に自社開発の8インチウェハラインによるGaN-on-Siの量産に参入。2025年には月産2万枚規模の生産能力を実現し、さらに月産7万枚体制を目指すなど、大口径ウェハによる量産力を武器に、グローバルGaNメーカーとして存在感を高めています。
　本レポートは、同社の主力製品である650V GaNトランジスタを対象に、デバイス構造、材料、製造プロセスなどを技術的な観点から解析。InfineonおよびNavitas（TSMC製造品）との比較を通じて、各社のデバイス設計や技術的特徴について解析したレポートとなります。
　https://newsroom.st.com/media-center/press-item.html/c3325.html#:~:text=Innoscience%20(HKEX:02577.HK)%20is%20the%20global%20leader,innoscience.com%20for%20more%20information.

製品特徴

データシート：http://www.htt-ic.com/uploads/allimg/20250426/1-2504261HH1I4.pdf

解析内容＆レポート価格

• ①GaN FET概要解析レポート： 価格￥300,000（税別) 　　発注後1weekで納品
  　チップサイズ、断面観察

• ②GaN FET構造解析レポート： 価格￥600,000（税別) 　　発注後1weekで納品
  　①概要解析レポート + 平面構造、レイアウト、GaN構造解析(各層観察）
  • オン抵抗変動（コラプス現象）対処構造を確認
  • 内臓ESD保護素子の構造。
  • 競合他社との比較。

• ③GaN製造プロセス解析および原価分析レポート：価格 ¥400,000 (税別)　発注後1weekで納品
  • 200mm径GaN-on-Siウェハ価格および製造歩留まりへの対応。

　下記は企画中のレポートになります。ご興味ございましたら、お問い合わせください。
　　④基本的な電気的特性：破壊電圧(BVdss), Ron, Idss　予定価格 ¥350,000 (税別)
　　⑤ GaNエピ層のTEM断面観察　　　　予定価格 ¥250,000 (税別) 　
　　⑥ パッケージ・実装解析レポート　　予定価格 ¥250,000 (税別)

レポートパンフレット

(26R-0070-1) GaN FET(650V)：Innoscience INN650TA030AH 解析レポート

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