Infineon, Onsemi社 650-1200V RC-IGBT 解析レポート企画

Infineon, Onsemi社 650-1200V RC-IGBTの解析レポート企画中!
本レポートにご興味はございませんでしょうか?

●概要
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RC-IGBTは、IGBTとFWD(Free Wheeling Diode)を一体化したもので、1チップ化によって、IGBTとダイオードを
それぞれ別に準備するよりも、パワー素子のチップ面積を削減でき、コストを低減できることが特徴です。
また、IGBTチップ単体やダイオードチップ単体と比べてRC-IGBTは、合計の表面積が大きく、放熱性が向上します。
海外メーカーのRC-IGBTは、日本の半導体メーカーが開発したRC-IGBTとの構造上の大きな違いが確認されます。

本レポートは、主要な海外メーカー(InfineonおよびOnsemi社)のRC-IGBTの概要を提供し、
それらの主要な設計機能を明らかにします。


●レポート内容、価格 (概算)
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※解析製品はInfineon RC-IGBT 3品種、Onsemi RC-IGBT 1品種を予定 (型番は資料参照)

・パッケージ概要、チップ写真、チップサイズ
・チップ上部平面観察
  -活性領域、AA
 -IGBT活性領域、AIGBT、RCダイオード(RCD)活性領域、ARCD、チップ周辺GRやJTEサイズ
 -IGBT+RCD全体なレイアウト/パターンの配置・構成(RCDはStripe型、島型など) 
 -顕在化処理→N型およびP型導電性領域の識別
・チップ裏面観察
 -RCDパターン →N型およびP型導電性領域の識別
・チップ断面観察
  -チップ厚さ
 -IGBTおよびRCDセル構造、配置・構成
 -Non-PunchthroughやPunchthroughの識別
 -N型およびP型導電性領域の識別

レポート価格(概算): 80万円(税別) 

上記内容の資料を添付しますので、ご確認お願い致します。


本レポートに対して 興味がある、詳細説明を聞きたい等、
ご興味、ご要望がございましたらcontact@ltec.bizまたは弊社営業担当までご連絡お願い致します。