エルテックは、6月22-24日にシカゴで開催されるITEC2017に参加します。 http://itec-conf.com/ 内容として、 〇最先端の自動車エレクトロニクスやワイドバンドギャップ半導体に関する最新技術のパンフレットを展示 〇技術論文発表： 「高温動作用（Tj〜200℃）のパワートランジスタとパワーモジュールのベンチマーキング」 パワーエレクトロニクスシステムの最大動作温度を上げる現在の傾向は、半導体デバイスやパッケージモールド化合物の新たな開発を必要としてます。そこで、エルテックはSi-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFETに及ぶパワートランジスタの代表的な製品をそれぞれ解析し、それらの製品について構造や材料を比較して、STMicroelectronics のSiC-MOSFET（SCT30N120)がTjmax = 200℃で動作を実現するための技術が何であるのかを明確にしました。 さらに、TJmax = 175℃で動作可能な最先端次世代のSiC系のパワーモジュール（ROHM社製BSM180D12P3C007や WOLF