当社の論文がIEEE Power Electronics Magazineに掲載されました

この度、当社の「1200V SiC MOSFET 技術の現状と傾向」について発表した論文が

IEEE Power Electronics Magazineの6月号に掲載されました。

本論文は大手メーカーの1200V SiC MOSFETを比較検証し、高温で信頼性の高い

動作を実現するための技術の特定や、構造解析結果パラメーターや電気特性

評価結果から性能指数を評価し、さらにチップコストやウェハーコスト等のコスト分析

などを含めた内容の論文です。

詳細は下記ご確認ください。

 

https://ieeexplore.ieee.org/document/8741017