Panasonic GaN Power HEMT PGA26E19BA解析レポート

・Panasonic GaN Power HEMT PGA26E19BA 

構造解析、パッケージ解析、プロセス解析、ESD保護素子解析レポート

Panasonic GaN Power HEMT PGA26E19BAの構造解析、プロセス解析、ESD保護素子解析、パッケージ解析レポートのリリースしました。
PGA26E19BAは、高電力スイッチング用途の為に設計された、ノーマリオフGaN系HEMTで、主な特徴としては

 

1. Vdds=600V, DC Id=10A,単位面積当たり真性オン抵抗(RonxA)i=292mWxmm2
(前機種PGA26C09DVは、 (RonxA)i=486mWxmm2 )
2. トップメタルにAuを使用 (前機種PGA26C09DVは、2層のCu再配線)
3. チップ混載ゲートESD保護素子
4. DFNパッケージ使用 (前機種PGA26C09DVは、TO-220パッケージ)
※ 前機種PGA26C09については、構造解析レポートを販売しております。

 

本レポートではPGA26E19BA のトランジスタ、パッケージの構造/材料、プロセスの詳細を明らかにしています。