お知らせ
2019.11.01
当社の論文がIEEE Power Electronics Magazineに掲載されました
この度、当社の「1200V SiC MOSFET 技術の現状と傾向」について発表した論文が
IEEE Power Electronics Magazineの6月号に掲載されました。
本論文は大手メーカーの1200V SiC MOSFETを比較検証し、高温で信頼性の高い
動作を実現するための技術の特定や、構造解析結果パラメーターや電気特性
評価結果から性能指数を評価し、さらにチップコストやウェハーコスト等のコスト分析
などを含めた内容の論文です。
詳細は下記ご確認ください。
