SiC MOSFET(1200V)：米国3社(Alpha and Omega, Vishay, MCC) 概要解析比較レポート

レポート概要

　SiCパワーデバイスは、EV市場の拡大に加え、産業機器、再生可能エネルギー、電力インフラ、AIデータセンターなどへの採用拡大を背景に、今後も継続的な市場成長が予測されています。　米国のSiC主要メーカーは、Wolfspeed、onsemi、Navitas Semiconductor（GeneSiC）などが挙げられますが、近年ではその他のメーカーもSiCパワーデバイスの開発・製品展開を強化しており、各社の技術力やデバイス構造を把握しておくことが重要となっています。
　今回、米国の主要SiCメーカーに続く、注目度の高い3社に焦点を当て、各社の製品・技術概要を解析しました。さらに、デバイスの実力を評価するとともに、RonA、セル構造、セルピッチなどのデバイス構造を比較し、各社のSiC MOSFET技術の特徴とポジションを明らかにしたレポートをリリースしました。

製品特徴

各製品のデータシート
AOM020V120X2Q：https://www.aosmd.com/sites/default/files/res/datasheets/AOM020V120X2Q.pdf
MXP120A080FW：https://www.vishay.com/docs/92811/mxp120a080fw.pdf
SICW080N120Y4 ：https://www.mccsemi.com/pdf/products/SICW080N120Y4(TO-247-4).pdf

解析内容＆レポート価格

概要解析比較レポート　価格：￥550,000 (税別) 　発注後1weekで納品
- 本レポートで評価した3製品について、トランジスタ面積当たりのオン抵抗（RonAA）をトレンド表に記載し、各メーカーの位置付けを明らかにしています（P.3参照）。
  また、大手メーカー品とチップサイズあたりのデータシートの値を比較しており、AOS製品のスイッチング損失の値に特徴があることを確認しています。
- 3製品のセル構造の断面観察を行い、セルピッチ、エピ層膜厚などの比較を行っています。
  また、懸念事項や特徴についても記載しています。