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SiCパワーモジュール：デンソー (SUBARU ソルテラ搭載)モジュール、搭載SiC MOSFET概要、構造解析、電気特性評価レポート


SUBARU ソルテラ
https://www.subaru.jp/solterra/	インバータコアモジュール	搭載パワーモジュール

レポート背景と概要

　 2025年11月、SUBARU ソルテラ（SOLTERRA）の改良モデルが発売されました。本車両搭載のBluE Nexus製の新型eAxleには、デンソーの新型インバーターコアモジュールが搭載されており、本モジュールでのパワーモジュールの配置は縦型から横型の平置きに変更、新型の絶縁基板内蔵の両面冷却モジュール（SiC MOSFET）が採用されています。
　本レポートは、このデンソーの新型モジュールおよび搭載SiC MOSFETに着目し、その詳細を明らかにするレポートになります。

製品特徴

デンソー製型番記載なしインバータシステム電圧：400V 車両リリース日：2025年

eAxle（FRONT）モーター出力：165kW、トルク268Nm　最大動作電圧(Vdss)は700～750Vと推定

解析内容＆レポート価格

① モジュール構造解析レポート：価格￥750,000（税別) 　発注後1weekで納品
- 両面に樹脂絶縁基板を使用した両面冷却モジュールを確認しています。
- 樹脂絶縁基板の絶縁層にはBNフィラーを含む放熱絶縁シートが使用されており、一般的なものに比べて非常に薄い絶縁層となっています。

②搭載SiC MOSFET概要解析レポート：価格￥300,000（税別) 　発注後1weekで納品
- チップ写真、サイズ、セル基本構造の確認と同社品との簡易構造比較を実施しています。

③ 搭載SiC MOSFET構造解析レポート：価格￥950,000（税別) 　発注後1weekで納品
- ②概要解析＋平面構造、レイアウト解析
- セル構造はトレンチゲート構造を採用しています。また、トレンチ底部のP shieldが形成されており、従来のデンソー製のSiC MOSFETとは異なる構造となっています。
- 外周部の耐圧構造にはJTEとGuard Ringsが使用されています。
- チップ内に温度センスダイオードが形成されています。

④搭載SiC MOSFET電気特性評価レポート：価格￥500,000（税別) 　発注後1weekで納品
- BVdss, C-Vds, Idss-Vds-T, Igss-Vgsを実測しています。
- 電気特性と構造の相関関係からオン抵抗（Ron）の成分分析やEpi層の不純物プロファイルの抽出を行っています。