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SiC、IGBTパワーモジュール:Infineon (KIA EV9 Long Range 搭載)モジュール構造解析、SiC MOSFET、Si IGBT概要解析レポート

SiCパワーモジュール SiC MOSFETチップ
KIA EV9
引用:https://www.kia.com/us/en/ev9
Si IGBTパワーモジュール Si IGBTチップ

レポート概要

 韓国の大手自動車メーカー起亜(KIA)の電気自動車 EV9は、2023年3月に発表された同社初となるEV専用SUVです。 同車リアインバータには、両面冷却技術が適用されたInfineon製SiCパワーモジュールHybridPACK DSC (※)とInfineon製IGBTパワーモジュールが搭載されています。
 今回、各モジュールの実装構造と材料について明らかにしたモジュール構造解析レポート、および搭載SiC MOSFET、Si IGBTの概要解析レポートをリリースしました。
(※) DSC: Dual Side Cooling (両面冷却)

製品特徴

  • SiCパワーモジュール
      型番: FF06MR12A04MA2 VDSS = 1200V、ID = 190A、RDS(on) = 5.56mΩ 製品リリース日: 2023年(推定)
  • IGBTパワーモジュール
      型番: FT215R12A5P1 VCE = 1200V(推定)、Ic = 215A(推定)、製品リリース日: 2023年(推定)

SiC power module FF06MR12A04MA2 データシート

解析内容&レポート価格

  1. SiCモジュール構造解析レポート 価格: ¥600,000 (税別) 発注後1weekで納品
    • 両面冷却型パッケージが使用されており、各絶縁基板の膜厚と材料の分析を実施しております。
  1. IGBTモジュール構造解析レポート 価格: ¥600,000 (税別) 発注後1weekで納品
    • 各絶縁基板の膜厚と材料の分析を実施しております。特にCu/AlSi/Cuのスペーサーが使用されており、従来のInfineon製IGBTモジュールとは異なる材料となっています。
  1. SiC MOSFETチップ概要解析レポート 価格: ¥300,000 (税別) 発注後1weekで納品
    • 表面電極にはCuが使用された同社製SiC MOSFETが搭載されています。
  1. IGBTチップ概要解析レポート 価格: ¥300,000 (税別)  発注後1weekで納品
    • 2種類のチップサイズが異なるSi IGBTが搭載されています。

レポートパンフレット


(25R-0292-1~4)SiC、IGBTパワーモジュール:Infineon (KIA EV9 Long Range 搭載)モジュール構造解析、SiC MOSFET、Si IGBT概要解析レポート


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