SiC MOSFET(1200V)： NAVITAS G3F17MT12FB2 SiCPAK 封止樹脂解析レポート

Navitas：SiCPAK	Navitas：G3F75MT12K	三菱電機：J1シリーズ(CT700CJA060)

レポート概要

　パワー半導体モジュールの封止方法はシリコーンゲル封止法が主流でしたが、SiCやGaNなど高温動作が求められるパワー半導体の普及により、耐久性(熱サイクル耐性、絶縁信頼性など)の問題からダイレクトポッティング法(以下DP法) に移行しつつあります。
　DP法の中でもNavitasのSiCPAKはEV急速充電、産業用モータードライブ、太陽光インバーターなど過酷な環境下での使用を想定した設計となっており特殊な封止樹脂が用いられています。
　本レポートでは、 SiCPAKに採用されている封止樹脂について、樹脂材料（樹脂本体およびフィラーの構成）および耐熱性（ガラス転移温度や熱膨張率）に着目し、車載環境を想定して設計された三菱電機J1シリーズ(DP法)および一般的なモールド封止樹脂との比較を行う事でSiCPAKの特長を明らかにしました。

製品特徴

• アプリケーション: EV用DC急速充電器、産業用モーター駆動装置、UPS、ESS、産業用溶接

データーシート：https://navitassemi.com/wp-content/plugins/gb-navitas-stock-checker/product_files/G3F17MT12FB2.pdf

解析内容、レポート価格

• 断面解析(封止樹脂とSiCMOSFETの界面に着目)
• フィラーの占有率の算出
  (封止樹脂を対象に、断面加工+SEM+EDXマッピング＋画像処理を実施)
• FT-IR分析(封止樹脂の材料分析を実施)
• ガラス転移温度、熱膨張率測定(封止樹脂を対象にして分析を実施)

レポート価格：¥780,000(税抜)　発注後1weekで納品

レポートパンフレット

25R-0299-1 Br-L1 SiCMOSFET Navitas G3F17MT12FB2 SiCPAK 封止樹脂解析レポート (Release)

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