SiC MOSFET (1200V)：Silan Microelectronics SCDP120R013N2P4B 概要、構造、電気特性解析レポート

パッケージ	SiC MOSFETチップ

レポート概要

　Silan Microelectronics（士蘭微電子）は、中国・杭州に本社を置く半導体メーカーで、近年はSiCを中心としたパワー半導体分野で急速に存在感を高めています。6インチSiCウェハは月産9,000枚規模の量産体制を確立しており、8インチSiC生産ラインも2025年稼働開始予定と報じられています。SiC MOSFETの開発・製造においても着実に技術力を向上させており、中国を代表するメーカーの一社と位置付けられます。
　本レポートでは、同社SiC MOSFETの平面・断面構造解析を実施するとともに、主要他社との性能比較を行い、設計・プロセス技術の特徴と現時点での技術水準を明らかにしています。中国トップメーカーの実力を把握するためのベンチマーク資料となります。

製品特徴

データシート：https://www.fet.discoveree.io/datasheet.php?view=pdf&file=silan/scdp120r013n2p4b.pdf

解析内容＆レポート価格

1. 概要解析レポート： 価格￥300,000（税別)　　発注後1weekで納品

2. 構造解析レポート： 価格￥650,000（税別)　　発注後1weekで納品
   • 本製品のRonxAAは、主要メーカーの最新世代品に匹敵し、また、中国の最新世代品にも匹敵することが分かりました。
     ただし、セル構造や外周部構造に懸念点がいくつか確認されます。

3. 電気特性解析レポート： 価格￥400,000（税別)　　発注後1weekで納品
   評価項目はP.4の目次参照。
   • 電気特性結果より、エピ層の不純物濃度とオン抵抗の成分分析を推定しています。
     また、ゲートリーク電流測定結果より、ゲート酸化膜が薄く形成されていることやゲート酸化膜の信頼性に課題があることが示唆されます。

レポートパンフレット

(25R-0602-1,3&25G-0602-2)SiC MOSFET (1200V)：Silan Microelectronics SCDP120R013N2P4B 概要、構造、電気特性解析レポート

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