GaN(650V)：GaNトランジスタ製造コスト分析レポート

レポート背景と概要

　GaNベースのパワーデバイスは、SiC MOSFETよりもはるかに高い周波数で動作できるため、ACアダプタ、電源、BLDCモータードライバー、AI電源などのアプリケーションで大きな注目を集めています。さらに、新しいGaN双方向スイッチ（BDS）によって新しい回路トポロジーが可能になり、xEV（OBC、マトリックスコンバータなど）への応用が期待されています。
　エルテックはこれまで10年以上に渡り、高電圧GaNトランジスタ技術のデータを蓄積してきました。今回、これらのデータを活用して、650Vを超える主流GaN-on-Siトランジスタの現在の技術動向と製造コストに関するレポートをリリースしました。

調査GaN製品

製造コスト分析は、以下のGaN製品の構造およびプロセス解析に基づいています。

1. INFINEON 650V GaN G5世代 (INFINEON Villach, Austria: 200mm→300mm)
2. NAVITAS/Cambridge GaN Devices GaN IC (TSMC 工場)
3. INNOSCIENCE 650V GaN (中国製)

解析内容＆レポート価格

GaNトランジスタ製造コスト分析レポート：　価格 ¥800,000 (税別) 　
発注後1weekで納品

レポート内容に関する詳細は、次ページをご参照ください。

• 平均販売価格の推移と、パワートランジスタのコスト/価格とチップ面積/Ronの比較システムレベルでのコスト優位性はあるのか？
• 単位面積あたりのオン抵抗（RonA）性能指標の動向：GaN vs SiC
• 横方向（水平方向）GaNトランジスタの面積スケーリング限界について
• GaN-on-Si (Sapphire)ウェハのコスト／価格動向調査
• 製造工程フロー抽出に基づく、加工済みウェハのコスト分析GaNウェハのコストがもたらす影響（割合）はどれくらいか？
• チップ面積当たりのGaNコストと価格？
• ファウンドリにおけるGaNウェハのコスト見積り

レポートパンフレット

(25R-0880-1)GaN(650V)：GaNトランジスタ製造コスト分析レポート

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