RC-IGBT (1700V)：富士電機 2MBI800XRNE170-50 モジュール、RC-IGBT構造解析レポート

モジュール外観	RC-IGBTチップ

レポート概要

　富士電機は第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールを開発し、低損失化と高信頼性を両立して高パワー密度化を実現した。さらに、IGBTとFWDをワンチップ化したRC-IGBTを採用し、定格電流を従来の600Aから800Aへ拡大しています※1 。
　本レポートは、モジュールおよびチップの詳細構造、および電気特性評価を実施し、その特徴について明らかにしたレポートになります。
※1　https://felib.fujielectric.co.jp/ja/M10010/M20060/document_detail/cb8b1c18-3297-4b05-bf84-db39a631fb7d

製品特徴

データシート：2MBI800XRNE170-50
第7世代(Xシリーズ)RC-IGBT

解析内容＆レポート価格

• モジュール、RC-IGBT構造解析レポート：　価格 ¥1,600,000 (税別) 　発注後1weekで納品
  ( RC-IGBT構造解析レポートのみの場合： 価格 ¥900,000 (税別) )
  • セル部のレイアウトは2019年に解析した同社製車載モジュール(6MBI800XV-075V-01)に搭載されているRC-IGBTと概ね同一になります※2。
  • モジュールの絶縁基板には添加剤を含む絶縁層が含まれています。
  • RC-IGBTチップの平面観察よりIGBT領域とDiode領域の占有率の確認、及び裏面カソード層のレイアウトを確認しています。
  • SR(Spreading Resistance )分析より、ベース層に不純物濃度の異なるポイントを確認しています。

• ※2 富士電機製車載モジュール(6MBI800XV-075V-01)解析レポートにつきましてはエルテックまでお問合せ下さい。(Report No . 19G-0004-1~3)

レポートパンフレット

(26G-0251-1)RC-IGBT (1700V)：富士電機 2MBI800XRNE170-50 モジュール、RC-IGBT構造解析レポート

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