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SiC MOSFET(1200V):BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート

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SiC MOSFET写真

レポート概要

  2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSFETが発表されました。
当社では2021年に同社第1世代SiC MOSFET(B1M080120HC)の解析を実施しており、今回はその第1世代との比較を目的として、パッケージ断面構造、 チップ平面、断面構造、材料分析を行った構造解析レポート、電気特性評価、 製造プロセスフロー推定を行ったプロセス解析レポート、 および短絡耐量評価レポートの3つのレポートから、中国におけるSiCトランジスタ技術 の現状を明らかにしてます。

製品仕様・特徴

    型番: B2M065120Z  第2世代 SiC MOSFET  Id=47A , RDS(ON)=65mΩ 製品リリース日:2023年5月

 ・6インチウェハプラットフォームで開発

 ・第1世代品と比較して比オン抵抗、スイッチング損失、信頼性が向上

レポート内容・結果概要 

① 構造解析レポート  価格:¥650,000(税別)   発注後1weekで納品

 ・トランジスタのセル構成を正方形(第1世代)からストライプ型(第2世代)に変更し、セルピッチを  35%縮小した。

 ・チップ厚さは150μmと積極的に薄化しており、研削加工技術の向上と考えられる。

② プロセス解析レポート  価格:¥600,000(税別)   発注後1weekで納品

  ・トランジスタセルピッチの縮小により、RONxA FOMを40%削減。

  ・N-エピ(ドリフト)の厚さとドーピング濃度を抽出し、測定した耐圧BVdssと相関させる。

  ・製造工程フローとフォト/マスキングのプロセス工程数を見積もる (重要なプロセス工程が考慮される)。

③ 短絡耐量評価レポート  価格:¥600,000(税別)   発注後1weekで納品

  ・SCWT(Short-Circuit Withstand Time)は、トランジスタの堅牢性・信頼性の指標として評価した。

  ・SCWTは、大手SiCメーカーの第3世代1200V定格SiC MOSFETと同等である。

  ・短絡過渡時のゲートリーク電流を観察し、制限要因として評価。

  ・臨界短絡エネルギー(Esc,f)と故障温度(Tj,crit)を抽出。

  ・安全にターンオフするための最大短絡時間の抽出

レポートパンフレット

SiC MOSFET(1200V):BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート


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