SiC MOSFET(1200V):BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート
PKG写真 |
SiC MOSFET写真 |
レポート概要
2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSFETが発表されました。
当社では2021年に同社第1世代SiC MOSFET(B1M080120HC)の解析を実施しており、今回はその第1世代との比較を目的として、パッケージ断面構造、 チップ平面、断面構造、材料分析を行った構造解析レポート、電気特性評価、 製造プロセスフロー推定を行ったプロセス解析レポート、 および短絡耐量評価レポートの3つのレポートから、中国におけるSiCトランジスタ技術 の現状を明らかにしてます。
製品仕様・特徴
型番: B2M065120Z 第2世代 SiC MOSFET Id=47A , RDS(ON)=65mΩ 製品リリース日:2023年5月 |
・6インチウェハプラットフォームで開発
・第1世代品と比較して比オン抵抗、スイッチング損失、信頼性が向上
レポート内容・結果概要
① 構造解析レポート 価格:¥650,000(税別) 発注後1weekで納品
・トランジスタのセル構成を正方形(第1世代)からストライプ型(第2世代)に変更し、セルピッチを 35%縮小した。
・チップ厚さは150μmと積極的に薄化しており、研削加工技術の向上と考えられる。
② プロセス解析レポート 価格:¥600,000(税別) 発注後1weekで納品
・トランジスタセルピッチの縮小により、RONxA FOMを40%削減。
・N-エピ(ドリフト)の厚さとドーピング濃度を抽出し、測定した耐圧BVdssと相関させる。
・製造工程フローとフォト/マスキングのプロセス工程数を見積もる (重要なプロセス工程が考慮される)。
③ 短絡耐量評価レポート 価格:¥600,000(税別) 発注後1weekで納品
・SCWT(Short-Circuit Withstand Time)は、トランジスタの堅牢性・信頼性の指標として評価した。
・SCWTは、大手SiCメーカーの第3世代1200V定格SiC MOSFETと同等である。
・短絡過渡時のゲートリーク電流を観察し、制限要因として評価。
・臨界短絡エネルギー(Esc,f)と故障温度(Tj,crit)を抽出。
・安全にターンオフするための最大短絡時間の抽出
レポートパンフレット
SiC MOSFET(1200V):BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート
・その他当社リリースレポートは こちら