SiC MOSFET(1200V)：BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート

PKG写真	SiC MOSFET写真

レポート概要

　 2023年5月、中国の主要なSiCデバイスメーカーであるBASiC Semiconductorから第2世代SiC MOSFETが発表されました。
当社では2021年に同社第１世代SiC MOSFET（B1M080120HC）の解析を実施しており、今回はその第1世代との比較を目的として、パッケージ断面構造、 チップ平面、断面構造、材料分析を行った構造解析レポート、電気特性評価、 製造プロセスフロー推定を行ったプロセス解析レポート、 および短絡耐量評価レポートの3つのレポートから、中国におけるSiCトランジスタ技術 の現状を明らかにしてます。

製品仕様・特徴

　・6インチウェハプラットフォームで開発

　・第１世代品と比較して比オン抵抗、スイッチング損失、信頼性が向上

レポート内容・結果概要

① 構造解析レポート　　価格：￥650,000（税別)   発注後1weekで納品

　・トランジスタのセル構成を正方形（第1世代）からストライプ型（第2世代）に変更し、セルピッチを35％縮小した。

　・チップ厚さは150μmと積極的に薄化しており、研削加工技術の向上と考えられる。

② プロセス解析レポート　　価格：￥600,000（税別)   発注後1weekで納品

　 ・トランジスタセルピッチの縮小により、RONxA FOMを40%削減。

　 ・N-エピ（ドリフト）の厚さとドーピング濃度を抽出し、測定した耐圧BVdssと相関させる。

　 ・製造工程フローとフォト/マスキングのプロセス工程数を見積もる (重要なプロセス工程が考慮される)。

③ 短絡耐量評価レポート　　価格：￥600,000（税別)   発注後1weekで納品

 　・SCWT(Short-Circuit Withstand Time)は、トランジスタの堅牢性・信頼性の指標として評価した。

 　・SCWTは、大手SiCメーカーの第3世代1200V定格SiC MOSFETと同等である。

 　・短絡過渡時のゲートリーク電流を観察し、制限要因として評価。

 　・臨界短絡エネルギー(Esc,f)と故障温度(Tj,crit)を抽出。

 　・安全にターンオフするための最大短絡時間の抽出

レポートパンフレット

SiC MOSFET(1200V)：BASiC Semiconductor B2M065120Z 構造、プロセス解析、短絡耐量評価レポート

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