SiC MOSFET(1200V)： BYD Semiconductor BSK080S120 構造、プロセスと電気特性評価、短絡耐量評価レポート

パッケージ外観	SiC MOSFETチップ

概要

　中国BYD社は世界最大のxEVメーカーであり、BYD Semiconductorもパワー半導体（IGBT、パワーモジュール）の研究開発・製造に注力しています。
　本レポートは、BYD初のSiC MOSFETについて、その特徴、技術レベル (RONxAA指標、製造プロセス など)を明らかにし、先進技術への同社の意欲を示すレポートになります。

製品特徴

• 自動車用途向けに面積当たりのオン抵抗を低く抑えている。
  　 (ロームの第3世代、中国Basic Semiconductorの第2世代と同等レべル)
• アプリケーション：EV充電、 DC-ACインバーター/DC-ACコンバーター、高電圧DC/DCコンバータ

解析内容、レポート価格

① SiC MOSFET構造解析レポート 　 価格 ¥750,000 (税別)　　　 発注後1weekで納品

• ILDなど信頼性の懸念事項に注目して解析を実施。
  ※本製品は中国製品の第2世代相当のプロセス技術を使用していると推定。

② プロセスと電気特性評価レポート 　 価格 ¥800,000 (税別) 　 　発注後1weekで納品

• 製造工程フローとフォト/マスキングのプロセス工程数。
• RON成分とMOSFETチャネル移動度の抽出解析。
• N-エピ（ドリフト）の厚さとドーピング濃度を抽出し、測定した耐圧BVdssと相関確認。

③ 短絡耐量評価レポート 　 価格 ¥600,000 (税別) 　　　 　発注後1weekで納品

• 短絡耐量（SCWT）試験の結果。
• BYDのトランジスタ短絡耐性を決定する制限要因に関する考察。　
  SCイベント中のゲート酸化膜の強度。
• BYDと主要SiCメーカーのSCWT対オン抵抗の比較。

レポートパンフレット

24R-0405-1,2,3 Br-L2 SiC MOSFET(1200V)： BYD Semiconductor BSK080S120 解析レポート (Release)

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