半導体
SiC MOSFET(1200V)： BYD Semiconductor BSK080S120 構造、プロセスと電気特性評価、短絡耐量評価レポート
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| パッケージ外観 | SiC MOSFETチップ |
概要
中国BYD社は世界最大のxEVメーカーであり、BYD Semiconductorもパワー半導体（IGBT、パワーモジュール）の研究開発・製造に注力しています。
本レポートは、BYD初のSiC MOSFETについて、その特徴、技術レベル (RONxAA指標、製造プロセス など)を明らかにし、先進技術への同社の意欲を示すレポートになります。
製品特徴
| 型番： BSK080S120 Vdss=1200V ID=36A RDS(ON)=80mΩ 製品リリース日：2024年 (推定) |
- 自動車用途向けに面積当たりのオン抵抗を低く抑えている。
(ロームの第3世代、中国Basic Semiconductorの第2世代と同等レべル) - アプリケーション：EV充電、 DC-ACインバーター/DC-ACコンバーター、高電圧DC/DCコンバータ
解析内容、レポート価格
① SiC MOSFET構造解析レポート 価格 ¥750,000 (税別) 発注後1weekで納品
- ILDなど信頼性の懸念事項に注目して解析を実施。
※本製品は中国製品の第2世代相当のプロセス技術を使用していると推定。
② プロセスと電気特性評価レポート 価格 ¥800,000 (税別) 発注後1weekで納品
- 製造工程フローとフォト/マスキングのプロセス工程数。
- RON成分とMOSFETチャネル移動度の抽出解析。
- N-エピ（ドリフト）の厚さとドーピング濃度を抽出し、測定した耐圧BVdssと相関確認。
③ 短絡耐量評価レポート 価格 ¥600,000 (税別) 発注後1weekで納品
- 短絡耐量（SCWT）試験の結果。
- BYDのトランジスタ短絡耐性を決定する制限要因に関する考察。
SCイベント中のゲート酸化膜の強度。 - BYDと主要SiCメーカーのSCWT対オン抵抗の比較。
レポートパンフレット
24R-0405-1,2,3 Br-L2 SiC MOSFET(1200V)： BYD Semiconductor BSK080S120 解析レポート (Release)
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