販売レポート

SiC MOSFET(1200V):中国SASTC 構造解析レポート

パッケージ写真

内部レイアウト写真

チップ写真

型番 : SA1M12000065   1200V  SiC MOSFET  (VDSS=1200VRDS(ON)65mΩID=36A)

製品概要

SiCパワーデバイスは、EV市場の拡大もあり、今後毎年2桁成長を達成すると予測されている。中でも中国の成長には今後注目する必要がある。

中国では、 BASiC SemiconductorやINVENTCHIP TechnologyはすでにSiC MOSFETを製造し発売している。またBYD MicroelectronicsはSiC MOSFETの開発に成功している。

本レポートは、 SASTCのSiC MOSFETについて、断面、平面構造、特徴などその詳細を明らかにする。

・本製品は民生用/産業用アプリケーション(モータードライブ、ソーラーインバーター、スイッチング電源)向けにリリース。

・トランジスタのゲート構造はプレーナ型

・パッケージタイプ:TO-247-3

レポート内容

 1.構造解析レポート  レポート価格:40万円(税別) 発注後1weekで納品

    ・パッケージ外観、X線観察、チップ観察

    ・SiC MOSFETのチップ断面:セル部、終端部 

    ・SiC MOSFETのチップ平面:配線接続、レイアウト確認

レポートパンフレット

SiC MOSFET(1200V):中国SASTC 構造解析レポート


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