半導体

SiC MOSFETs(1200V)：中国製SiC MOSFET 調査・ベンチマークレポート (2025年版)

背景

　中国でのSiCウェハ生産歩留まりの向上により、世界の大手SiC MOSFETメーカーも中国企業のウェハの採用を始め、ウェハの品質、歩留まりの向上、コストの低下などが報告されています。　
　ウェハだけでなく、SiCパワーデバイスの製造分野でも中国の参入企業が拡大（推定100社程度）しており、中国製パワーデバイスは様々な製品への採用が今後急速に拡大すると予測されています。
　当社は、2021年から主要中国メーカーの製品の解析、評価を行っておりますが、近年中国のSiC MOSFETは大手メーカーと同等の性能を持つデバイスも見られる様になり、大手メーカーと同様に、定期的に中国SiC MOSFETの技術レベルの確認が必要と考えています。

レポート概要

　エルテックは、約60製品の SiCパワーデバイス (2014年～2025年) と、2021年以降、9製品の中国製 SiCパワーデバイスの構造/材料および電気特性解析を実施しており、本レポートは、中国メーカーの動向、世界の大手メーカーとの技術比較をまとめたレポートになります（P.3参照）。

対象製品

※1　比較のための簡易構造解析のみ実施

※企画の時点で対象としていましたBYDは正規品ではない可能性が高く、対象外となっています。（簡易レポートあり）

レポート内容・結果概要

・中国メーカーのFOM RONxAAは、主要メーカーの第3世代以上に匹敵するメーカーが出てきている。
・評価したすべてのSiC MOSFETのエピ /バッファ層の膜厚が非常に類似しており、SiC基板とエピ層、バッファ層に共通性があることを示している可能性がある。
・信頼性への影響は不明であるが、いくつかの製品でSource電極、コンタクト周辺に形状的な異常が確認されている。
・コスト分析の結果、中国メーカーの原価は、米国メーカーを大幅に下回ると予想される。