半導体

SiC MOSFET(1200V)：中国CR MICRO CRXQF40M120G2Z 概要、構造解析レポート


パッケージ	SiC MOSFETチップ

概要

　中国のSiC市場は、自動車の電動化を背景に急速に成長しており、中国のSiCメーカーの動向には注目していく必要があります。
　 CR MICRO (China Resources Microelectronics, 華潤微電子有限公司)は、チップ設計、マスク製造、ウェハ製造、パッケージング、テストなどを含むウエハ製造、アセンブリ、テストまで一貫製造している中国国内トップクラスの半導体企業です。
　「CRXQF40M120G2Z」は、同社の第2世代(現最新世代) SiC MOSFETの製品であり、本レポートは、同社のSiC技術レベルの確認、前世代品や他社メーカとの比較を目的としたレポートです。

製品特徴

型番： CRXQF40M120G2Z 　 VDS=1200V、ID=66A、RDS(ON)=40mΩ　製品リリース日：2023年11月

データシート： https://www.crmicro.com/SiCMOSFET/2023-12-27/bc2cef1c-5677-453b-946b-aa13a8980dc8.pdf

セルレイアウトは、Wolfspeed Gen4で確認されるHoneycomb型構造を採用しています。
アプリケーション：　ソーラーインバータ • 高電圧DC/DCコンバータ • オンボード充電• EV充電器

解析結果 (解析内容につきましてはP.2, 4のレポート目次を参照)

① 概要解析レポート：価格￥300,000（税別)　　　発注後1weekで納品
② 構造解析レポート：価格￥850,000（税別)　　　発注後1weekで納品

本製品は、セル平面レイアウト構造が前世代品のストライプ型からHoneycomb型に変更し、セルピッチを縮小することでRonxAAを約25%低減しています。
　また、そのRon x AAは中国主要メーカー(BASiC社, Sanan社)製最新世代品(Gen2) SiC MOSFETと同等であり、中国国内では技術レベルが高いと考えられます。

③プロセス・電気特性解析レポート：予定価格￥800,000(税別)も企画しています。
　エルテックまでお問い合わせ下さい。