GaN FET(100V)： Efficient Power Conversion Corporation 双方向GaN EPC2121 パッケージ、GaN FET構造解析レポート

パッケージ外観

レポート概要

　近年、各社から電流を双方向に流せるGaNパワーデバイスの発表が行われており、2025年の世界最大級のパワー半導体の展示会PCIMでも双方向GaNは注目されています。
　EPC (Efficient Power Conversion Corporation)は、低電圧分野で双方向GaNをいち早く製品化しており、主に48V以下のDCバッテリシステムやモーター制御用途が想定されています。
　本レポートは、EPC製双方向GaN FETのEPC2121について構造解析を行い、その特徴を明らかにするレポートになります。

製品特徴

データーシート：https://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics/epc2121

• 0.9mm×0.9mm WLCSP
• ノーマリーオフ GaN FET
• 双方向デバイス (Bidirectional)

解析内容＆レポート価格

①パッケージ構造解析レポート：　 価格￥250,000（税別)　 　発注後1weekで納品
　再配線層膜厚、有機保護膜の膜厚を確認
　
②GaN FET構造解析レポート：　 価格￥800,000（税別)　 発注後1weekで納品
　平面解析により各層のレイアウトと接続を確認
　断面解析により各層(GaN Epi層を含む)の膜厚とピッチの確認
　同社製150V GaN FET(EPC2033)との比較(GaN Epi層およびチャネル長)を比較

レポートパンフレット

25G-0112-1,2 Br-L2 GaN FET(100V)： Efficient Power Conversion Corporation 双方向GaN EPC2121 パッケージ、GaN FET構造解析レポート (Release)

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