半導体
SiC MOSFET(1200V)：fastSiC FF12080QA 概要、構造解析レポート
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| パッケージ | SiC MOSFETチップ |
レポート概要
2019年に設立されたSiCパワーデバイス事業のファブレス設計会社であるfastSiC (台湾 新竹市)は、台湾の大手EMS(電子機器受託生産)企業の鴻海精密工業(Foxconn)と提携し、EV向けのSiC MOSFETを開発しています。
中国の躍進が目立つ現在、台湾の技術レベルの確認を行うことも重要と捉えており、同社のSiC MOSFETについて構造の特徴、技術レベルを明らかにした概要、構造解析レポートをリリースしました。
製品特徴
| 型番： FF12080QA VDS=1200V、ID=29A、RDS(ON)=83mΩ 製品リリース日：2023年7月 |
データシート:https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/6531/Datasheet_FF12080QA.pdf
- アプリケーション: EV充電ステーション、パワーインバータ&モータードライバーなど
レポート内容＆価格
① SiC MOSFET概要解析レポート 価格￥300,000(税別) 発注後1weekで納品
- 本製品のRonxAAは、とある主要メーカーの第3世代品に匹敵し、また、躍進の目立つ中国の最新世代品にも匹敵することが分かりました。
➁ SiC MOSFET構造解析レポート 価格￥750,000(税別) 発注後1weekで納品
- トランジスタの平面セルレイアウトは主要メーカー品には見られないような独特なもので、その設計意図として短絡耐量の強化が考えられます。
- チップ外周部領域 (JTE, GRs)が他社製品と比較して約50%狭いことが確認され、実測の電気特性値(オフ状態破壊電圧)との関連について調査しています。
レポートパンフレット
25R-0185-1,2 Br-L2 SiC MOSFET(1200V)：fastSiC FF12080QA 概要、構造解析レポート (Release)
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