半導体
SiCパワーモジュール (3300V)：Infineon FF4000UXTR33T2M1 モジュール、SiC MOSFET構造解析レポート
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モジュール外観 |  |
チップ全体像 (Top metal layer) |
概要
鉄道などのトラクションシステムの高効率化、太陽光、風力発電、蓄電システムの需要拡大によりInfineonから高電圧、大電力用途向けに、XHP2 Cool SiC MOSFETハーフブリッジモジュール（3300V）がリリースされています。
今回、同モジュールの構造解析、搭載SiC MOSFETの構造解析を行い、同製品の構造とその特徴を明らかした下記2つのレポートをリリースしました。
製品特徴
| 型番： FF4000UXTR33T2M1 VDSS = 3300V、IDN = 500A、RDS(ON)＝3.8mΩ 製品リリース日： 2024年7月(データシート) |
- CoolSiC™ Trench MOSFET 内蔵
- アプリケーション: 鉄道輸送トラクションコンバータ、太陽光発電、蓄電システムなど
解析内容、レポート価格
① モジュール構造解析レポート 価格 ¥1,150,000 (税別) 発注後1weekで納品
- ボンディングワイヤ、ソース電極部にはCuを使用。
- 低熱抵抗 Rthを実現する同社特有のXT接合を使用。
- AlN系絶縁部材を用いたAMC基板が使用。
- AlSiCベースプレートが使用。
② SiC MOSFET構造解析レポート 価格 ¥1,400,000 (税別) 発注後1weekで納品
- Source電極にCuを使用するための特殊な積層配線構造。
- 高耐圧を実現するためのEpi層と終端構造。
※➀②両レポート購入の場合は、 合計から ¥700,000引きにてご提供いたします。
レポートパンフレット
24G-1094-1,2 Br-L2 SiCパワーモジュール (3300V)：Infineon FF4000UXTR33T2M1 モジュール、SiC MOSFET構造解析レポート (Release)
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