IGBTパワーモジュール(4500V)：Infineon FF450R45T3E4-B5 モジュール、IGBT構造解析レポート


モジュール外観	IGBTチップ写真

概要

　2023年12月、Infineon製 4500V XHP™ 3 IGBTモジュールが発表されました。
本製品はトラクション(鉄道) 、モータ制御、建機および農機 (CAV) などの大型モーターインバータ用のIGBTモジュールで、高信頼性、高効率化が要求される分野で使用される製品となります。
　エミッタ制御ダイオードを備えたTRENCHSTOP™ IGBT4（ 4500V）搭載、高電圧、大電流モジュール製品での絶縁構造、材料解析のレポートとなります。

製品特徴

型番：FF450R45T3E4-B5 VCES=4500V ICDC=450A製品リリース日：2023年12月

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FF450R45T3E4_B5-DataSheet-v01_00JA.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec07bb9a4802

・ XHP™ 3パッケージ採用 140mm(L)×100mm(W)×40mm(H)
・TRENCHSTOP™ IGBT4とエミッタ制御ダイオードを備えた450AデュアルIGBTモジュール
・熱サイクル能力を向上させるAlSiC ベースプレートを使用

解析、レポート内容

① モジュール構造解析レポート　価格：￥600,000 （税別)　　発注後1weekで納品

　・本製品にはサーミスタやIGBTチップ上に温度センスダイオードは形成されていない。
　・ダイアタッチはSn系はんだを使用。
　・窒化アルミ系AMC基板の絶縁層は厚く形成され、添加剤が含まれている。
　・端子間の絶縁のために厚いモールド樹脂を使用。

② IGBT構造解析レポート　価格：￥600,000 （税別)　　発注後1weekで納品
　・搭載IGBTの電流密度は0.5A/mm2(コレクタ電流/トランジスタ面積より算出)。
　・終端部の耐圧構造には幅の広いJTEを使用。
　・4500Vの定格動作電圧の実現のために厚いN-Base層を使用。
　・SR分析によりP+Collector層、N Field Stop層、N-Base層のキャリア濃度を確認。