販売レポート

半導体

GaN内蔵ハーフブリッジドライバ:Infineon製 IGI60F1414A1L 概要解析レポート

パッケージ内部

ハイサイド ゲート駆動ICのチップ外観

概要

 カーボンニュートラルの達成や脱炭素社会の実現のために、SiのパワーデバイスをSiCやGaNで置き換えることでの低損失化が期待されている。GaNデバイスは小型ACアダプタやUSB充電器などの民生品で採用が進んでおり、周辺回路の集積化により製品、製品搭載電源の小型化が進んでいる。

 Infineon社ではGaN FETのディスクリート品を既に発売しているが、IGI60F1414A1LはGaN FETとゲート駆動回路を1パッケージに統合した製品(CoolGaN IPS)として初めての製品となる。

 本レポートでは、搭載チップ外観写真と解析対象チップのGateレイヤー外観写真、ロジック部断面観察によりデザインルールを特定しています。

製品特徴

 ・Infineon IGI60F1414A1L(2021年5月)

  https://www.infineon.com/cms/jp/product/power/gan-hemt-gallium-nitride-transistor/integrated-power-stage-gan/igi60f1414a1l/

 ・ハイサイドとローサイドの2つのGaN FETを含む絶縁ハーフブリッジIC

 ・GaN FETは耐圧600Vでノーマリオフ(E-Mode)、最大ID=6A

 ※Anker社の小型ACアダプタに採用が確認されている。

解析内容

 ・搭載チップサイズ、チップ写真(制御IC、GaN-FET(HS、LS)、ゲート駆動IC (HS、LS) )

 ・ハイサイドのゲート駆動ICの概要解析

  (パッケージのX線観察、チップ外観&サイズ、チップ Gateレイヤー、デザインルール)

レポート価格     

  価格:¥180,000 (税抜)       

  発注後1weekで納品

レポートパンフレット

GaN内蔵ハーフブリッジドライバ:Infineon製 IGI60F1414A1L 概要解析レポート   


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