半導体

SiC SBD (2000V)：Infineon IDYH25G200C5 概要、構造解析レポート


パッケージ外観	SiC SBDチップ

概要

　パワーデバイスのTOPメーカーであるInfineon社は、今後需要が高まると予想される高電圧電源を使用するアプリケーションをターゲットとして、CoolSiCのポートフォリオを2kVクラスに拡張。2024年10月に市場初となる2000V SiC SBDをリリースしました（これまでは600-1200V帯の製品が主流）。　
　本製品の特徴としては、高電圧、高速動作、高効率化による電流密度の向上などが挙げられ、設計の簡素化、システムコストの低減が可能になります。　
　今回、本製品の構造と特徴を明らかにした以下のレポートをリリースしました。

製品特徴

型番： IDYH25G200C5 VRRM = 2000V、IF = 77A、　製品リリース日： 2024年10月

データシート: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IDYH25G200C5-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917f09d5c23976

・アプリケーション:：ソーラーインバーター、EV充電システム

解析結果

(各レポートの目次につきましてはP.2, 4を参照。)
(1) 概要解析レポート　価格￥300,000 (税別)　　　発注後1weekで納品
(2) 構造解析レポート　価格　￥600,000 (税別)　　　発注後1weekで納品
(構造解析レポート： (1)概要解析レポートの内容 + パッケージ断面解析 + より詳細な構造解析)

ダイアタッチ材として、同社独自の.XT技術が使用されており、これによりデバイスの熱抵抗が低減
されます。この技術は同社製最新世代SiC MOSFETにも使用されています。
本製品のダイオードセルは、Hexagonal型のMPS(Merged PiN Schottky)構造です (G5品の特徴)。
同社製G5 1200V品との比較の結果、Epi膜厚、チップ外周部構造(外周部幅、JTEとGR構造)が
　異なることを確認しています。

(3) 電気特性解析レポート(企画中)　予定価格　￥400,000 (税別)