半導体

SiC MOSFET(400V)：Infineon IMBG40R045M2H 概要、構造、プロセスと電気特性解析レポート


	パッケージ		SiC MOSFETチップ

背景・概要

　人工知能（AI）プロセッサの計算要件が増加するにつれて、サーバー電源（PSU）は、大電力を効率よく供給する必要があります。2024年5月 Infineonから人工知能（AI）電源用に第2世代CoolSiCテクノロジーを使った400V SiC MOSFETが発表されました。本製品は、GaN トランジスタの領域とも競合する400V 範囲の最初の産業用 SiC MOSFETで、今後の採用動向も注目されています。
　今回、構造、プロセス、特性評価など、製品の特徴を明らかにしたレポートを3部構成でリリースします。

製品特徴

型番：IMBG40R045M2H　 Vdss= 400V　43A 44.9mΩ　製品リリース日：2024年5月

データシート: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IMBG40R045M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf

650V SiCおよびSi MOSFETと比較して、超低伝導損失とスイッチング損失
スイッチング電源(サーバーやAI向け)、Energy storage, UPS, battery formation、Class-D オーディオ

解析内容・結果概要 (各レポートの目次はP.2, 4, 6を参照。)

① 概要解析レポート：価格￥300,000（税別)　　発注後1weekで納品

　・パッケージとチップ観察、セル部、チップ終端部の断面観察。
② 構造解析レポート：　価格￥750,000（税別)　　発注後1weekで納品
　・①概要解析の内容を含む、SiC MOSFET平面・断面構造解析、セル部(TEM)。
　・Infineon独自の非対称トレンチゲート構造を採用し、セルピッチを縮小することで、真性オン抵抗RONxAA=103mΩ・mm2を実現しました。
　・N-epi ドリフト領域の厚さとドーピングは、400V 動作に合わせて調整されています。
③ プロセスと電気特性解析レポート：　価格￥600,000（税別)　発注後1weekで納品
　・製造プロセス工程抽出および特徴プロセスを観察と考察。
　・N-epi濃度プロファイル抽出。
　・電気特性とデバイス構造の考慮: 極薄 N-epi と RON成分（Rch, Repi) および破壊電圧相関。
　　主に、BVdss対定格ドレイン電圧 (Vdss = 400V) の狭いマージン。