半導体

GaN FET(40V)：Nexperia 双方向GaN GANB4R8-040CBAZ パッケージ、GaN FET構造解析レポート


パッケージ外観 (WLCSP)

レポート概要

　近年、GaNパワーデバイスが注目されており、2025年のPCIM（世界最大級のパワー半導体の展示会）では双方向GaNデバイスの提案が多数見られます。
　双方向GaNデバイスは、単方向の一般的なGaNパワーデバイスに比べて、2段構成の電圧変換アーキテクチャを1段に変更できることから、高効率化やコスト削減、設計の大幅なコンパクト化が可能という点で注目されています。
　NEXPERIAは双方向GaN FETをいち早く製品化しており、モバイルやラップトップのバッテリ管理システムなどの過電圧保護、負荷スイッチング用途向けのGANB4R8-040CBAZをリリースしています。
　本レポートは同製品のパッケージ、GaN FETの構造解析を行い、その特徴を明らかにしたレポート
になります。

製品特徴

型番：GANB4R8-040CBAZ 　 VDD=40V　ID=20A RDD(on) =4.8 mΩ　製品リリース日：2024年8月

データシート：https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/GANB4R8-040CBA.pdf

2.1mm×2.1mm WLCSP
ノーマリーオフ GaN FET
双方向デバイス (Bidirectional)

レポート概要＆価格

①パッケージ構造解析レポート：　価格￥250,000（税別)　　発注後1weekで納品

再配線層膜厚、有機保護膜の膜厚を確認

②GaN FET構造解析レポート：　価格￥800,000（税別)　発注後1weekで納品

平面解析により各層のレイアウトと接続を確認
断面解析により各層(GaN Epi層を含む)の膜厚とピッチの確認
同社製150V GaN FET(GAN7R0-150LBE)との比較(GaN Epi層およびチャネル長を比較
※GAN7R0-150LBEの構造解析レポート(23G-0523-1)につきましては、お問い合わせください。