SiC MOSFET(1200V)： Onsemi社製 (NTH4L022N120M3S) 解析レポート

パッケージ

チップ写真

製品概要

onsemi社製のM3Sファミリーの最初の新しいSiC MOSFET製品がリリースされた。同社のEliteSiCパワーモジュールで使用されている。 本トランジスタは、22mΩの低オン抵抗が特徴で、高速スイッチング アプリケーション向けに最適化されている。 また、負のゲート電圧駆動で確実に動作し、ゲート スパイクをオフにする新しいプレーナ構造技術を備えている。

レポート内容

構造、プロセス解析の２つのレポートは、onsemi の M3S テクノロジの詳細を明らかにしている。新しい M3S プロセスでは、単位面積あたりのオン抵抗 (RONxA指標) が 43% 削減され、第 4 世代の高度な SiC MOSFET と互換性がある。また、チップ面積を有効活用するため、2層メタルプロセスを採用している。

① Onsemi M3S 1200V SiC MOSFET 構造解析レポート：　予定価格80万円（税別)　

　・SiC MOSFET平面解析：　チップ観察、配線接続、レイアウト確認
　・SiC MOSFET断面解析：　セル部、チップ終端部
　・SiC MOSFET断面SCM （※）+ ライン解析：　セル部
　・onsemi製前代NVHL080N120SC1との構造比較

② Onsemi M3S 1200V SiC MOSFET 製造プロセス解析レポート：　予定価格60万円（税別)

　・製造プロセスフローの推定と解析
　・電気特性評価、デバイス構造との関係。 新しい平面ゲート構造の効果。
　・N-epi（ドリフト）領域ドーピングプロファイル
　・onsemi 前代NVHL080N120SC1、ROHM、WLFSPD、Infineon：RONxA、ドレンリーク電流との比較。

レポートパンフレット

SiC MOSFET(1200V)： onsemi社製 (NTH4L022N120M3S) 解析レポート

・​その他当社リリースレポートは こちら