SiC Cascode JFET(750V):onsemi Gen4 UJ4C075018K4S 概要、構造解析レポート
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パッケージ外観 | SiC JFETチップ |
レポート概要
2025年1月、onsemiはQorvoの子会社United Silicon Carbide (UnitedSiC)を含むSiC JFET事業を買収しており、onsemiのSiCパワー製品のラインナップを補完し、AIデータセンター電源ユニットや電気自動車市場への拡大を狙っています。
SiC JFETは、チップ面積当たりのオン抵抗が低く高速スイッチング (~1MHz)が可能なことからAIデータセンターラック用電源の小型化および高効率化を実現できるデバイスとして世界大手のInfineon社もSiC JFET製品ファミリーを追加すると発表 (2025年 5月)しており、今後SiC JFETの動向を調査することは重要と捉えています。
今回解析対象であるUJ4C075018KSは、 onsemi (Qorvo)の第4世代(現最新世代)の製品で、特徴、詳細を明らかにするレポートをリリースしました。
製品特徴
型番: UJ4C075018K4S VDS=750V、ID=120A、RDS(ON) =18mΩ、製品リリース日:2025年3月 (データシート) |
データシート: https://www.onsemi.jp/download/data-sheet/pdf/uj4c075018k4s-d.pdf
- 第4世代ノーマリーオンSiC JFETトランジスタ
- アプリケーション : EV充電、スイッチング電源、PVインバータ等
解析内容&レポート価格
① 概要解析レポート: 価格¥400,000 (税別) 発注後1weekで納品
- JFETチップの面積当たりのオン抵抗は、一般的なSiC MOSFETの半分以下のRon x AAで
あることを確認しました。
➁ 構造解析レポート: 価格¥700,000 (税別) 発注後1weekで納品
- レポート①の内容を含みます。
- 本製品は縦型チャネルトレンチゲート構造です。同社製の前世代品との構造の比較の結果、 セルピッチやチャネル長等約50%の縮小を確認しました。
- カスコード接続用のSiパワーMOSFETのセル断面構造解析を行なっています。
レポートパンフレット
25r-0258-1,2 br-l2 sic cascode jfet(750v):onsemi gen4 uj4c075018k4s 概要、構造解析レポート (release)
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