中国製SiC MOSFET構造解析 3社概要レポート

概要

　SiCパワーデバイスは、EV市場の拡大もあり、今後毎年２桁成長を達成すると予測されている。中でも中国の成長には今後注目する必要がある。

中国では、 BASiC SemiconductorやINVENTCHIP TechnologyはすでにSiC MOSFETを製造し発売している。またBYD MicroelectronicsはSiC MOSFETの開発に成功している。

本レポートは、中国メーカー3社のSiC MOSFETの概要を提供し、先端SiCメーカーと

比較することで、その実力を明らかにします。

　・BASIC Semiconductor B1M080120HC　 1200V SiC MOSFET　42A 80mΩ

　・INVENTCHIP Technology IV1Q12080T3 　 1200V SiC MOSFET　42A 80mΩ

　・SASTC SA1M12000065D 　1200V SiC MOSFET　40A 65mΩ

　・パッケージ外観、X線観察

　・SiC MOSFET チップ観察

・SiC MOSFET 断面解析：セル構造、平面解析：活性領域AA

・電気特性評価(ゲートリーク電流、Ids-Vds温特)

・他社との比較(ローム、WLFSPD、Infineonなど先端SiCメーカーとの比較)

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