半導体

GaN HEMT(650V)：ローム EcoGaN GNP1070TC-Z 構造解析レポート


パッケージ写真	チップ写真 (GaN HEMT)	チップ写真 (保護ダイオード)

レポート概要

・近年、GaNデバイスは高速スイッチングの特性優位性から、電源アプリケーションの省エネ化や小型化への貢献が期待されており、2023年4月、ロームからサーバーやACアダプターなど幅広い電源システムに最適な650V耐圧GaN HEMT「EcoGaN™シリーズ」が量産開始されている。※

・本レポートでは、ロームの650V耐圧GaN HEMT 「GNP1070TC-Z」について、断面、平面構造解析および他社製品との比較を行っています。

※Delta Electronics, Inc. の関連会社でGaNデバイスの開発等を手掛けるAncora Semiconductors Inc.との共同開発品。

型番： GNP1070TC-Z 　 650V GaN HEMT EcoGaN　RDS(ON)=70mΩ、Id=20A
製品リリース日： 2023年4月

・本製650V GaN HEMTのデバイス性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）において業界トップクラスを実現し、スイッチング損失を大きく削減している。

・ESD保護素子を内蔵したことにより、静電破壊耐量が3.5kVまで向上している。

　ローム EcoGaN GNP1070TC-Z 構造解析レポート　 価格： 80万円（税別）　

　　　発注後1weekで納品

　　・パッケージ、チップ観察

　　・GNP1150TC-Aとの比較

　　・GaN平面解析：　配線接続、レイアウト確認

　　・GaN断面解析：　セル部、チップ端部、エピ層断面TEM-EDX

　　・他社製品との比較 (STMicroelectronics VIPERGAN、GaNsystems GS66504B)

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